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IRFR3607TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：75 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：56A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFR3607TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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1000+:￥1.76 500+:￥1.84 100+:￥2.0 30+:￥2.16 1+:￥2.24 |
1880 |
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华秋商城
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IRFR3607TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥1.76 1+:￥1.84 |
6723 |
23+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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1000+:￥1.78 500+:￥1.84 100+:￥2.43 30+:￥2.73 10+:￥3.1 1+:￥3.62 |
3286 |
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立创商城
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IRFR3607TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥1.7992 1+:￥1.8824 |
6320 |
23+
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硬之城
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IRFR3607TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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500+:￥1.84 100+:￥2.42 20+:￥2.89 1+:￥3.32 |
2000 |
22+/23+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 56A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 46A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 84 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3070 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |