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IRFR3410TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥1.55 1+:￥1.63 |
935 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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IRFR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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D-Pak
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2000+:￥1.612 1+:￥1.6952 |
833 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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D-Pak
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2000+:￥1.612 1+:￥1.6952 |
1585 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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1000+:￥1.65 500+:￥1.75 100+:￥2.24 30+:￥2.55 10+:￥2.87 1+:￥3.5 |
4315 |
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立即发货
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立创商城
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IRFR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO252
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500+:￥1.93 100+:￥2.35 20+:￥2.88 1+:￥3.41 |
3655 |
22+/23+
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在芯间
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IRFR3410TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥2.057 4000+:￥2.2206 2000+:￥2.3375 500+:￥3.2725 200+:￥4.675 10+:￥7.6086 |
18512 |
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油柑网
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IRFR3410TRPBF
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INFINEON
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TO-252
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1+:￥2.2344 |
1752 |
2211
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRFR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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100+:￥5.562 30+:￥5.886 10+:￥5.994 1+:￥6.534 |
22 |
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立即发货
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华秋商城
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IRFR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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D-Pak
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2000+:￥1.612 1000+:￥1.6952 100+:￥1.9344 1+:￥2.5272 |
2038 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRFR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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SOT-223-4，TO-252，TO-252-2
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2000+:￥1.62 |
60000 |
24+
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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SOT-223-4，TO-252，TO-252-2
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100000+:￥1.7718 20000+:￥1.7877 4000+:￥1.8193 2000+:￥1.8826 |
20000 |
21+
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3-4工作日
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云汉芯城
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IRFR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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SOT-223-4，TO-252，TO-252-2
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2000+:￥1.8333 300+:￥1.98 100+:￥2.0167 30+:￥2.4383 10+:￥2.6767 1+:￥3.1167 |
1636 |
21+
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1工作日
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云汉芯城
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IRFR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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SOT-223-4，TO-252，TO-252-2
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10000+:￥1.8679 6000+:￥1.9007 4000+:￥1.9334 2000+:￥1.9662 |
50000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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SOT-223-4，TO-252，TO-252-2
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80000+:￥2.0882 300+:￥2.0882 200+:￥2.1255 100+:￥2.2001 |
20000 |
21+
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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SOT-223-4，TO-252，TO-252-2
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100+:￥2.1757 30+:￥2.4798 10+:￥2.7901 1+:￥3.4337 |
239 |
20+
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1工作日
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云汉芯城
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IRFR3410TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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SOT-223-4，TO-252，TO-252-2
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4000+:￥2.645 2000+:￥2.714 500+:￥2.76 10+:￥2.875 |
60000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 56 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1690 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |