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IRFR220NTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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IRFR220NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥0.75 1+:￥0.814 |
34294 |
25+
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圣禾堂
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IRFR220NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2000+:￥0.78 1+:￥0.84656 |
34284 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFR220NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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4000+:￥0.84 2000+:￥0.8965 500+:￥0.9907 150+:￥1.3576 50+:￥1.5271 5+:￥1.9225 |
22470 |
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立即发货
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立创商城
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IRFR220NTRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥0.902 4000+:￥0.9738 2000+:￥1.025 500+:￥1.435 200+:￥2.05 10+:￥3.1775 |
32032 |
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油柑网
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IRFR220NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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800+:￥0.9416 400+:￥0.9511 50+:￥1.466 5+:￥1.8456 |
536 |
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立即发货
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华秋商城
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IRFR220NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2
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500+:￥1.01 150+:￥1.37 50+:￥1.52 5+:￥1.93 |
5642 |
23+/24+
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在芯间
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IRFR220NTRPBF
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INFINEON
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TO-252-3
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5+:￥1.9581 |
553 |
2104
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRFR220NTRPBF
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Infineon Technologies
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2000，SOT-23-5，SOT-5，TO-252，TO-252-3
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4000+:￥0.8295 2000+:￥0.8898 500+:￥0.9817 100+:￥1.1715 50+:￥1.4594 10+:￥1.5093 1+:￥1.8269 |
1345 |
2234+
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1工作日
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云汉芯城
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IRFR220NTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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2000，SOT-23-5，SOT-5，TO-252，TO-252-3
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2000+:￥0.8424 |
68000 |
24+
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFR220NTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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2000，SOT-23-5，SOT-5，TO-252，TO-252-3
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10000+:￥0.8475 5000+:￥0.8625 1000+:￥0.885 10+:￥0.9375 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFR220NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2000+:￥0.8528 50+:￥0.92456 1+:￥1.196 |
39193 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRFR220NTRPBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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2000，SOT-23-5，SOT-5，TO-252，TO-252-3
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2000+:￥0.8889 300+:￥0.9689 100+:￥1.0578 30+:￥1.1644 10+:￥1.4133 1+:￥1.7067 |
16691 |
22+
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1-3工作日
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云汉芯城
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IRFR220NTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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2000，SOT-23-5，SOT-5，TO-252，TO-252-3
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100000+:￥0.8986 20000+:￥0.9066 4000+:￥0.9226 2000+:￥0.9547 |
150000 |
24+
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3-4工作日
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云汉芯城
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IRFR220NTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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2000，SOT-23-5，SOT-5，TO-252，TO-252-3
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20000+:￥0.9097 10000+:￥0.9334 6000+:￥0.965 2000+:￥0.9888 |
26800 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFR220NTRPBF
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Infineon Technologies/IR
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2000，SOT-23-5，SOT-5，TO-252，TO-252-3
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4000+:￥1.38 2000+:￥1.416 500+:￥1.44 10+:￥1.5 |
100000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 23 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 300 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 43W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |