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IRFR15N20DTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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IRFR15N20DTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA(DPAK)
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2000+:￥2.5 1+:￥2.61 |
8955 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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2000+:￥2.6 1+:￥2.7144 |
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥2.7346 4000+:￥2.9521 2000+:￥3.1075 500+:￥4.3505 200+:￥6.215 10+:￥10.1149 |
3000 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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1000+:￥3.24 500+:￥3.37 100+:￥3.68 30+:￥4.36 10+:￥4.96 1+:￥6.06 |
1330 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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D-PAK（TO-252AA）
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2000+:￥3.2864 1000+:￥3.4216 100+:￥3.7648 1+:￥4.524 |
2955 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 165 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 41 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 910 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |