IRFP9140NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
¥3.47
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFP9140NPBF
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400+:¥3.47

1+:¥3.73

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400+:¥3.88

100+:¥4.04

25+:¥4.4

10+:¥4.67

1+:¥5.25

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250+:¥4.103

50+:¥4.4294

25+:¥4.6625

15+:¥6.5275

5+:¥9.325

1+:¥15.1764

6055

-
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10+:¥4.67

1+:¥5.25

3623

20+/21+
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1+:¥4.8323

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400+:¥3.64

50+:¥3.9208

1+:¥4.8984

12092

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400+:¥3.78

36000

24+
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2000+:¥4.025

1200+:¥4.095

800+:¥4.165

400+:¥4.305

26990

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3-5工作日
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10+:¥4.5061

1+:¥5.233

19

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1工作日
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2000+:¥4.8952

1200+:¥4.981

800+:¥5.0669

400+:¥5.1528

800

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3-5工作日
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1000+:¥5.2884

500+:¥5.424

10+:¥5.5144

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3-7工作日
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500+:¥9.2575

100+:¥10.1834

6+:¥11.22

13001

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14-18工作日
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100+:¥8.7293

30+:¥9.2378

10+:¥9.4072

1+:¥10.2547

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 117 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 97 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1300 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3