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IRFP90N20DPBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：94A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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IRFP90N20DPBF
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Infineon(英飞凌)
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400+:￥7.35 1+:￥7.64 |
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圣禾堂
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1050+:￥7.4 525+:￥7.73 100+:￥8.49 25+:￥10.16 10+:￥12.39 1+:￥15.0 |
2938 |
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Infineon(英飞凌)
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在芯间
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英飞凌(INFINEON)
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250+:￥10.571 50+:￥11.4119 25+:￥12.0125 15+:￥16.8175 5+:￥24.025 1+:￥39.1007 |
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油柑网
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1+:￥17.5694 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 94A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 56A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 270 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6040 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 580W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |