IRFP4468PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
¥4.98
6,816
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):195A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFP4468PBF
Infineon(英飞凌)
TO247

500+:¥4.98

100+:¥5.38

20+:¥6.89

1+:¥8.55

2812

22+/23+
IRFP4468PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC

1000+:¥5.33

500+:¥5.55

100+:¥6.03

25+:¥7.11

10+:¥8.07

1+:¥9.82

3446

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Infineon(英飞凌)
TO-247AC

400+:¥5.8

1+:¥6.03

523

23+
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Infineon(英飞凌)
TO247AC-3

1+:¥6.7444

35

-
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IRFP4468PBF
英飞凌(INFINEON)
TO-247

250+:¥5.0758

50+:¥5.4796

25+:¥5.768

15+:¥8.0752

5+:¥11.536

1+:¥18.7748

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.6 毫欧 @ 180A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 540 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 19860 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 520W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3