IRFP4368PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
¥4.356
138,451
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):75 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):195A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFP4368PBF
英飞凌(INFINEON)
TO-247

250+:¥4.356

50+:¥4.7025

25+:¥4.95

15+:¥6.93

5+:¥9.9

1+:¥16.1123

102728

-
IRFP4368PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3

800+:¥4.5

400+:¥4.526

30000

25+
1-3工作日
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Infineon(英飞凌)
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1000+:¥4.68

500+:¥4.88

100+:¥5.31

25+:¥6.27

10+:¥7.88

1+:¥9.44

2188

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Infineon(英飞凌)
TO-247

500+:¥4.86

100+:¥5.28

20+:¥6.25

1+:¥7.71

3525

22+/23+
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TO-247AC

400+:¥4.24

1+:¥4.57

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.85 毫欧 @ 195A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 570 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 19230 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 520W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3