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IRFP260NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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TO-247AC
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400+:￥2.9 1+:￥3.13 |
32562 |
2年内
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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1050+:￥3.1 350+:￥3.21 100+:￥3.43 25+:￥3.97 10+:￥5.28 1+:￥6.04 |
8988 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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TO247
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500+:￥3.15 100+:￥3.41 20+:￥4.08 1+:￥5.36 |
4980 |
23+/24+
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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TO247AC-3
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100+:￥3.626 25+:￥4.1454 1+:￥6.174 |
291 |
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华秋商城
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英飞凌(INFINEON)
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250+:￥4.048 50+:￥4.37 25+:￥4.6 15+:￥6.44 5+:￥9.2 1+:￥14.26 |
7520 |
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油柑网
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INFINEON
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TO-247
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1+:￥7.1344 |
764 |
2050
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京北通宇
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400+:￥3.132 |
72000 |
25+
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Infineon(英飞凌)
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400+:￥3.276 50+:￥3.536 1+:￥4.42 |
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1-3工作日
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硬之城
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INFINEON TECHNOLOGIES
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100+:￥3.5165 25+:￥4.0235 10+:￥5.2758 1+:￥6.0301 |
250 |
25+
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Infineon Technologies
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1000+:￥3.53 500+:￥3.7361 100+:￥3.9191 50+:￥4.286 10+:￥4.5936 1+:￥4.8004 |
5905 |
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Infineon Technologies/IR
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10000+:￥3.5595 5000+:￥3.6225 1000+:￥3.717 10+:￥3.9375 |
7520 |
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3-5工作日
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Infineon Technologies/IR
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20000+:￥3.607 4000+:￥3.6392 800+:￥3.7036 400+:￥3.8324 |
20000 |
24+
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3-4工作日
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1200+:￥4.83 800+:￥4.956 400+:￥5.04 10+:￥5.25 |
50000 |
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500+:￥19.3315 100+:￥21.2518 4+:￥23.412 |
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14-18工作日
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 28A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 234 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4057 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |