咨询/建议
IRFP250NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IRFP250NPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-247AC
|
400+:￥2.16 1+:￥2.33 |
35088 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IRFP250NPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-247AC
|
800+:￥2.18 400+:￥2.26 100+:￥2.38 25+:￥2.77 10+:￥4.0 1+:￥4.66 |
17044 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IRFP250NPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-247AC-3
|
500+:￥2.18 100+:￥2.26 20+:￥2.85 1+:￥3.52 |
5625 |
24+/25+
|
在芯间
|
|
|
IRFP250NPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-247AC-3
|
400+:￥2.2464 1+:￥2.4232 |
35083 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
IRFP250NPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO247AC-3
|
500+:￥2.688 100+:￥2.832 10+:￥3.12 1+:￥3.24 |
261 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 123 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2159 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 214W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |