IRFP250MPBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
¥2.25
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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800+:¥2.25

400+:¥2.33

100+:¥2.45

25+:¥2.83

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400+:¥2.26

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400+:¥2.33

100+:¥2.45

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 75 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 123 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2159 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 214W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3