IRFP064NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
¥2.7
132,082
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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Infineon(英飞凌)
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800+:¥2.8

400+:¥2.98

100+:¥3.32

25+:¥3.88

10+:¥5.38

1+:¥6.51

13480

-
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400+:¥2.808

1+:¥3.0368

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英飞凌(INFINEON)
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250+:¥2.86

50+:¥3.0875

25+:¥3.25

15+:¥4.55

5+:¥6.5

1+:¥10.5788

86939

-
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400+:¥2.95

100+:¥3.31

20+:¥3.85

1+:¥5.35

1500

24+/23+
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INFINEON
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2216
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100+:¥3.1872

25+:¥3.7248

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500+:¥3.224

100+:¥3.41

10+:¥3.782

1+:¥3.937

25

-
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1000+:¥3.712

500+:¥3.872

100+:¥4.192

30+:¥4.512

1+:¥4.672

25

-
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Infineon Technologies
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1000+:¥2.8

500+:¥2.926

100+:¥3.0569

50+:¥3.4189

10+:¥3.7171

1+:¥4.1595

9775

2419+
1工作日
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TO-247AC

500+:¥2.8

300+:¥3.024

100+:¥3.08

30+:¥3.724

10+:¥4.088

1+:¥4.76

11025

24+
1-3工作日
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INFINEON TECHNOLOGIES
TO-247AC

1000+:¥2.8889

500+:¥3.0233

100+:¥3.1707

10+:¥3.2911

1+:¥3.4667

2378

2435+
1工作日
IRFP064NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-247-3

400+:¥2.8912

50+:¥3.1096

1+:¥3.9

14815

--
1-3工作日
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Infineon Technologies/IR
TO-247AC

20000+:¥2.912

4000+:¥2.938

800+:¥2.99

400+:¥3.094

10800

24+
3-4工作日
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Infineon Technologies/IR
TO-247AC

10000+:¥2.938

5000+:¥2.99

1000+:¥3.068

10+:¥3.25

86939

-
3-5工作日
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3200+:¥2.958

1600+:¥3.009

800+:¥3.111

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43200

24+
3-5工作日
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Infineon Technologies/IR
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1250+:¥3.8063

625+:¥3.84

125+:¥3.8737

25+:¥3.9411

971600

-
5-8工作日
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Infineon Technologies/IR
TO-247AC

1200+:¥4.14

800+:¥4.248

400+:¥4.32

10+:¥4.5

100000

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3-5工作日
IRFP064NPBF
IR
TO-247AC

1+:¥4.9

0

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现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 毫欧 @ 59A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 170 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3