IRFML8244TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.4
47,515
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):25 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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IRFML8244TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.4

1+:¥0.428

11256

25+
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IRFML8244TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.416

1+:¥0.44512

8249

25+
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IRFML8244TRPBF
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.44

6000+:¥0.475

3000+:¥0.5

800+:¥0.7

200+:¥1.0

10+:¥1.6275

8251

-
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SOT-23

6000+:¥0.44

3000+:¥0.4739

500+:¥0.5799

150+:¥0.7066

50+:¥0.8081

5+:¥1.045

19245

-
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Infineon(英飞凌)
SOT-23

600+:¥0.5509

50+:¥0.7677

5+:¥0.9928

500

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INFINEON
SOT-23-3

1+:¥3.9103

14

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Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.416

1500+:¥0.44512

200+:¥0.48984

1+:¥0.71032

11628

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1-3工作日
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Infineon(英飞凌)
SOT-23(SOT-23-3)

30+:¥1.116

10+:¥1.116

5+:¥1.116

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20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 24 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 430 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3