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IRFL014NTRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.9A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRFL014NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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2500+:￥1.16 1+:￥1.24 |
1811 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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IRFL014NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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1000+:￥1.2 500+:￥1.28 100+:￥1.64 30+:￥1.95 10+:￥2.19 1+:￥2.76 |
2768 |
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立即发货
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立创商城
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IRFL014NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223-4
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2500+:￥1.2064 1+:￥1.2896 |
1803 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFL014NTRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-223-4
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25000+:￥1.32 5000+:￥1.425 2500+:￥1.5 800+:￥2.1 200+:￥3.0 10+:￥4.8825 |
6543 |
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油柑网
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IRFL014NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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500+:￥2.0196 10+:￥2.2442 1+:￥2.8322 |
249 |
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华秋商城
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IRFL014NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT223
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500+:￥2.65 100+:￥2.83 20+:￥3.39 1+:￥4.42 |
3695 |
20+/21+
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在芯间
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IRFL014NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223-4
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2500+:￥1.2064 1250+:￥1.2896 100+:￥1.4768 1+:￥1.924 |
4321 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRFL014NTRPBF
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INFINEON
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TO-261-4
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1+:￥1.6823 |
4 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 11 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 190 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |