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IRFHM9331TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN3x3-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，20V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRFHM9331TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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PQFN(3x3)
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4000+:￥1.4 1+:￥1.47 |
13058 |
25+
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圣禾堂
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IRFHM9331TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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PQFN(3x3)
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4000+:￥1.456 1+:￥1.5288 |
13050 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFHM9331TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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PQFN3x3-8
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1000+:￥1.46 500+:￥1.56 100+:￥1.72 30+:￥2.09 10+:￥2.39 1+:￥3.08 |
2196 |
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立创商城
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IRFHM9331TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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PQFN8_3X3MM
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800+:￥1.8407 10+:￥2.6296 1+:￥2.8011 |
300 |
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华秋商城
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INFINEON
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8-PowerTDFN
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1+:￥2.1085 |
827 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRFHM9331TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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PQFN(3x3)
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1000+:￥3.192 500+:￥3.6708 100+:￥3.99 30+:￥4.4688 10+:￥5.4264 1+:￥6.384 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Ta），24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V，20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 11A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1543 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |