IRFH7440TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN5x6-8
¥1.08
48,738
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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IRFH7440TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN-8(5x6)

4000+:¥1.08

1+:¥1.14

12273

23+
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IRFH7440TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN(5x6)

4000+:¥1.1232

1+:¥1.1856

12268

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IRFH7440TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN5x6-8

100+:¥1.32

30+:¥1.59

10+:¥1.81

1+:¥2.32

406

-
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IRFH7440TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN(5x6)

1000+:¥1.65

100+:¥1.82

20+:¥2.21

1+:¥2.85

4500

23+/21+
IRFH7440TRPBF
英飞凌(INFINEON)
PQFN5x6

40000+:¥1.87

8000+:¥2.0188

4000+:¥2.125

1000+:¥2.975

300+:¥4.25

10+:¥6.9169

16000

-
IRFH7440TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN8_4.9X5.82MM

1+:¥1.89

3074

-
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IRFH7440TRPBF
INFINEON
8-PowerTDFN

1+:¥3.332

217

-
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IRFH7440TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN(5x6)

4000+:¥1.1752

2000+:¥1.248

1000+:¥1.3208

100+:¥1.4664

1+:¥1.8408

12479

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 85A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 138 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4574 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 104W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN