IRFB7440PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥1.54
137,852
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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IRFB7440PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

500+:¥1.54

100+:¥1.7

50+:¥2.06

10+:¥2.46

1+:¥3.14

988

-
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IRFB7440PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.67

1+:¥1.81

21406

25+
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IRFB7440PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220-3

1000+:¥1.7368

1+:¥1.8824

21404

25+
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INFINEON
TO220

1+:¥2.156

100

-
现货最快4H发
IRFB7440PBF
英飞凌(INFINEON)
TO-220

500+:¥2.244

100+:¥2.4225

50+:¥2.55

20+:¥3.57

10+:¥5.1

1+:¥8.3003

89819

-
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Infineon(英飞凌)
TO-220(TO-220-3)

30+:¥2.91

10+:¥3.58

1+:¥4.54

4085

20+/21+
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Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1+:¥1.9158

50

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IRFB7440PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

3000+:¥1.6089

2000+:¥1.6508

1000+:¥1.7488

72820

-
3-5工作日
IRFB7440PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

8000+:¥1.6747

4000+:¥1.704

2000+:¥1.7334

1000+:¥1.8363

3000

23+
3-6工作日
IRFB7440PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220-3

1000+:¥1.768

50+:¥1.9136

1+:¥2.496

21433

--
1-3工作日
IRFB7440PBF
Infineon Technologies
TO-220AB

1000+:¥2.0

500+:¥2.1113

100+:¥2.2096

50+:¥2.4054

10+:¥2.5679

1+:¥3.1672

1076

2339+
1工作日
IRFB7440PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

1000+:¥2.052

85000

24+
7-12工作日
IRFB7440PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

500+:¥2.0645

300+:¥2.1265

100+:¥2.209

30+:¥2.6013

10+:¥3.2929

1+:¥3.6129

49998

23+
1-3工作日
IRFB7440PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

10000+:¥2.3052

5000+:¥2.346

1000+:¥2.4072

10+:¥2.55

89819

-
3-5工作日
IRFB7440PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

500+:¥7.0955

100+:¥7.7998

8+:¥8.592

373

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 135 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4730 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 143W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3