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IRFB7437PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：195A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFB7437PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.1384 500+:￥2.2671 100+:￥2.5146 50+:￥2.96 10+:￥3.73 1+:￥4.59 |
3045 |
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立创商城
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IRFB7437PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.15 1+:￥2.25 |
1531 |
2年内
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-220-3
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1000+:￥2.236 1+:￥2.34 |
1530 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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500+:￥2.44 100+:￥2.68 30+:￥3.76 1+:￥4.79 |
1000 |
20+/21+
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在芯间
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IRFB7437PBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥3.487 100+:￥3.7644 50+:￥3.9625 20+:￥5.5475 10+:￥7.925 1+:￥12.8979 |
6600 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 225 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7330 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |