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IRFB4410ZPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：97A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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1000+:￥1.9 1+:￥2.06 |
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1000+:￥1.976 1+:￥2.1424 |
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1200+:￥2.16 500+:￥2.3 100+:￥2.57 50+:￥3.02 10+:￥3.89 1+:￥4.79 |
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500+:￥2.34 100+:￥2.58 20+:￥2.97 1+:￥4.52 |
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250+:￥2.4672 50+:￥2.8992 10+:￥3.7344 1+:￥4.5984 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 97A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 58A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 120 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4820 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |