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IRFB4127PBF
Infineon(英飞凌)
ITO-220AB-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：76A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRFB4127PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.67 1+:￥2.8 |
26195 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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ITO-220AB-3
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1000+:￥2.67 500+:￥2.84 100+:￥3.16 30+:￥3.7 10+:￥4.24 1+:￥5.32 |
6009 |
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立创商城
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IRFB4127PBF
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Infineon(英飞凌)
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ITO-220AB-3
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1000+:￥2.7768 1+:￥2.912 |
26289 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRFB4127PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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250+:￥3.0968 50+:￥3.626 10+:￥4.1552 1+:￥5.2136 |
330 |
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华秋商城
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英飞凌(INFINEON)
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ITO-220AB-3
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500+:￥3.674 100+:￥3.9663 50+:￥4.175 20+:￥5.845 10+:￥8.35 1+:￥13.5896 |
3610 |
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油柑网
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IRFB4127PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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30000+:￥3.1024 15000+:￥3.1248 1000+:￥3.136 100+:￥3.2928 1+:￥4.1104 |
28327 |
24+
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2-4工作日
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云汉芯城
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IRFB4127PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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10000+:￥3.7742 5000+:￥3.841 1000+:￥3.9412 10+:￥4.175 |
3610 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRFB4127PBF
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Infineon Technologies
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TO-220AB
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50+:￥7.0 10+:￥7.21 1+:￥7.571 |
251 |
2312+
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1工作日
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云汉芯城
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IRFB4127PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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1000+:￥7.02 |
68000 |
24+
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7-12工作日
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云汉芯城
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IRFB4127PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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50000+:￥9.7664 10000+:￥10.0352 1000+:￥10.304 10+:￥11.0208 |
1000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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IRFB4127PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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500+:￥16.4105 100+:￥16.8386 4+:￥17.124 |
546 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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INFINEON
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TO220
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1+:￥22.736 |
0 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 76A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 44A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 150 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5380 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |