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IRFB38N20DPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：43A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥3.2 1+:￥3.33 |
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1000+:￥3.5 500+:￥3.69 100+:￥4.09 50+:￥5.0 10+:￥6.8 1+:￥8.26 |
307 |
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500+:￥4.356 100+:￥4.7025 50+:￥4.95 20+:￥6.93 10+:￥9.9 1+:￥16.1123 |
7980 |
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100+:￥4.4 30+:￥4.634 10+:￥4.712 1+:￥5.102 |
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500+:￥4.82 100+:￥5.22 20+:￥6.87 1+:￥8.63 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 43A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 54 毫欧 @ 26A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 91 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2900 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |