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IRFB3607PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：75 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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IRFB3607PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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5000+:￥0.9456 2000+:￥0.9776 500+:￥1.0308 150+:￥1.2758 50+:￥1.5021 5+:￥2.0044 |
59510 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥0.98 1+:￥1.06 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥1.0192 1+:￥1.1024 |
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硬之城
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500+:￥1.09 150+:￥1.27 50+:￥1.48 5+:￥1.96 |
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22+/23+
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在芯间
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥1.188 100+:￥1.2825 50+:￥1.35 20+:￥1.89 10+:￥2.7 1+:￥4.3943 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 46A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 84 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3070 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |