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IRFB3207PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：75 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFB3207PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1050+:￥2.79 350+:￥2.95 100+:￥3.27 50+:￥3.81 10+:￥4.67 1+:￥5.75 |
1479 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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TO220
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1000+:￥2.82 100+:￥2.91 20+:￥4.05 1+:￥4.98 |
3000 |
22+/23+
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在芯间
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IRFB3207PBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥3.982 100+:￥4.2988 50+:￥4.525 20+:￥6.335 10+:￥9.05 1+:￥14.7289 |
11739 |
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油柑网
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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8000+:￥2.964 4000+:￥3.016 2000+:￥3.068 1000+:￥3.25 |
14000 |
22+
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3-6工作日
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云汉芯城
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INFINEON TECHNOLOGIES
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TO-220AB
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100+:￥3.1066 50+:￥3.6198 10+:￥4.4399 1+:￥5.4752 |
200 |
22+
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1工作日
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IRFB3207PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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10000+:￥4.0906 5000+:￥4.163 1000+:￥4.2716 10+:￥4.525 |
11729 |
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3-5工作日
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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5000+:￥4.1222 3000+:￥4.1946 2000+:￥4.2669 1000+:￥4.3392 |
3000 |
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3-5工作日
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IRFB3207PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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1000+:￥4.4692 500+:￥4.5483 100+:￥4.6669 5+:￥4.9438 |
60000 |
21+
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3-5工作日
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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80000+:￥5.6952 300+:￥5.6952 200+:￥5.7969 100+:￥6.0003 |
20000 |
21+
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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100+:￥3.9713 30+:￥4.2026 10+:￥4.2797 1+:￥4.6653 |
10 |
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华秋商城
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INFINEON
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TO220
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1+:￥11.074 |
10 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 260 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7600 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |