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IRF9Z34NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥0.989 1+:￥1.07 |
7341 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥1.02856 1+:￥1.1128 |
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硬之城
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25+
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220
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500+:￥1.15 150+:￥1.35 50+:￥1.62 5+:￥2.03 |
2868 |
22+/23+
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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250+:￥1.5229 50+:￥1.6636 10+:￥2.0351 1+:￥2.0556 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 620 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 68W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |