IRF9540NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
¥1.68
40,897
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRF9540NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK

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Infineon(英飞凌)
TO-263

800+:¥1.7472

1+:¥1.8928

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D2PAK

800+:¥1.77

500+:¥1.88

100+:¥2.59

30+:¥2.95

10+:¥3.3

1+:¥4.02

1166

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英飞凌(INFINEON)
TO-263

8000+:¥2.31

1600+:¥2.4938

800+:¥2.625

400+:¥3.675

100+:¥5.25

10+:¥8.5444

21037

-
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D2PAK

500+:¥2.53

100+:¥3.41

20+:¥3.82

1+:¥4.95

2750

22+/23+
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D²PAK

800+:¥2.5682

320+:¥2.5947

160+:¥2.6211

10+:¥3.3401

1+:¥4.1552

800

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800+:¥2.5682

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800+:¥1.872

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1+:¥2.6312

20351

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1-3工作日
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Infineon(英飞凌)
D2PAK

24000+:¥2.0048

16000+:¥2.0048

800+:¥2.016

50+:¥2.1728

1+:¥2.8336

23801

25+
2-4工作日
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Infineon Technologies/IR
D2PAK

6400+:¥2.0611

3200+:¥2.0973

1600+:¥2.1334

800+:¥2.26

3200

25+
3-6工作日
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Infineon Technologies/IR
D2PAK

8000+:¥2.1689

4000+:¥2.2255

2400+:¥2.3009

800+:¥2.3575

2200

-
3-5工作日
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Infineon Technologies/IR
D2PAK

40000+:¥2.2781

8000+:¥2.2984

1600+:¥2.3391

800+:¥2.4205

16000

25+
3-4工作日
IRF9540NSTRLPBF
Infineon Technologies
D2PAK

100+:¥2.5936

30+:¥2.9546

10+:¥3.3158

1+:¥4.0906

320

2433+
1工作日
IRF9540NSTRLPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
D2PAK

100+:¥2.5949

30+:¥2.9622

10+:¥3.3324

1+:¥4.0907

800

24+
1-3工作日
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Infineon Technologies
D2PAK

8000+:¥2.783

4000+:¥2.8556

2400+:¥2.904

800+:¥3.025

60000

-
3-5工作日
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Infineon Technologies/IR
D2PAK

800+:¥2.808

80000

24+
7-12工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 117 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 110 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1450 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB