IRF9540NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220
¥0.98
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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Infineon(英飞凌)
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1000+:¥1.0192

1+:¥1.1024

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1000+:¥1.08

500+:¥1.11

100+:¥1.17

50+:¥1.39

10+:¥1.73

1+:¥2.23

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500+:¥1.08

100+:¥1.15

20+:¥1.36

1+:¥2.15

5625

22+/23+
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500+:¥1.177

100+:¥1.2706

50+:¥1.3375

20+:¥1.8725

10+:¥2.675

1+:¥4.3536

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INFINEON
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100+:¥1.274

1+:¥1.3524

2676

2432
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250+:¥1.2762

50+:¥1.3954

10+:¥1.5088

1+:¥1.8229

351

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1000+:¥1.0712

50+:¥1.1544

1+:¥1.508

64015

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Infineon Technologies
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1000+:¥1.0855

500+:¥1.169

100+:¥1.7535

50+:¥1.837

10+:¥1.9205

1+:¥2.0875

258

2404+
2-3工作日
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1000+:¥1.1232

65000

24+
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500+:¥1.1444

300+:¥1.236

100+:¥1.2589

30+:¥1.5221

10+:¥1.6709

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10000

25+
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10000+:¥1.1526

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-
3-5工作日
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Infineon Technologies
TO-220AB

1000+:¥1.2

500+:¥1.2407

100+:¥1.3022

50+:¥1.4239

10+:¥1.5396

1+:¥1.8601

327

2503+
1工作日
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500+:¥1.2052

250+:¥1.2366

150+:¥1.2786

50+:¥1.31

8167

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3-5工作日
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Infineon Technologies/IR
TO-220AB

8000+:¥1.3566

4000+:¥1.3566

2000+:¥1.3804

1000+:¥1.4042

12000

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5-7工作日
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2000+:¥1.61

1000+:¥1.652

500+:¥1.68

10+:¥1.75

100000

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3-5工作日
IRF9540NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

5000+:¥2.9463

3000+:¥2.9719

2000+:¥3.0232

1000+:¥3.2025

10000

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6-8工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 117 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 97 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1300 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3