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IRF840APBF
VISHAY(威世)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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IRF840APBF
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VISHAY(威世)
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TO-220
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1000+:￥2.79 100+:￥3.16 20+:￥3.78 1+:￥5.18 |
1200 |
24+/23+
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在芯间
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IRF840APBF
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VISHAY(威世)
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TO-220AB
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100+:￥3.27 50+:￥3.82 10+:￥4.38 1+:￥5.51 |
291 |
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立即发货
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立创商城
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IRF840APBF
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VISHAY
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TO-220
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100+:￥5.7678 59+:￥6.1099 1+:￥6.4522 |
100 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRF840APBF
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Vishay(威世)
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TO-220AB
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500+:￥2.2146 300+:￥2.2773 150+:￥2.4235 50+:￥2.6324 10+:￥2.9458 1+:￥3.1547 |
18 |
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立即发货
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华秋商城
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IRF840APBF
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威世(VISHAY)
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TO-220
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500+:￥2.365 100+:￥2.5531 50+:￥2.6875 20+:￥3.7625 10+:￥5.375 1+:￥8.7478 |
23 |
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油柑网
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IRF840APBF
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Vishay Semiconductors
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TO-220AB
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10000+:￥2.4295 5000+:￥2.4725 1000+:￥2.537 10+:￥2.6875 |
23 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF840APBF
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Vishay Intertechnology
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TO-220AB
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1000+:￥2.6 500+:￥2.7306 100+:￥2.8526 30+:￥3.0627 10+:￥3.3547 1+:￥4.1288 |
64 |
2409+
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1工作日
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云汉芯城
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IRF840APBF
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Vishay Semiconductors
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TO-220AB
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3000+:￥3.5032 2000+:￥3.5636 1000+:￥3.624 |
17000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF840APBF
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Vishay(威世)
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TO-220-3
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20+:￥3.74 |
26 |
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3天-15天
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唯样商城
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IRF840APBF
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Vishay Semiconductors
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TO-220AB
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2000+:￥4.025 1000+:￥4.13 500+:￥4.2 10+:￥4.375 |
10000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF840APBF
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Vishay Semiconductors
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TO-220AB
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1250+:￥12.7412 250+:￥15.4915 100+:￥15.5715 25+:￥15.7349 1+:￥16.0154 |
123 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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IRF840APBF
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Vishay Semiconductors
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TO-220AB
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500+:￥12.9605 100+:￥14.1128 5+:￥15.552 |
945 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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IRF840APBF
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VISHAY(威世)
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TO-220(TO-220-3)
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1000+:￥2.6 1+:￥2.72 |
9 |
24+
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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TO-220AB
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1000+:￥2.704 1+:￥2.8288 |
8 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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Vishay(威世)
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TO-220AB-3
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1000+:￥2.704 100+:￥2.8288 1+:￥3.536 |
9 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRF840APBF
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VISHAY(威世)
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TO-220AB
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30000+:￥2.8638 15000+:￥2.8749 1000+:￥2.886 100+:￥3.0192 1+:￥3.774 |
9 |
24+
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2-4工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 4.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 38 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1018 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |