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IRF640NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥1.94 1+:￥2.1 |
26805 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥2.0176 1+:￥2.184 |
26801 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥2.02 500+:￥2.14 100+:￥2.76 30+:￥3.16 10+:￥3.55 1+:￥4.35 |
5522 |
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立即发货
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立创商城
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥2.35 100+:￥2.58 20+:￥2.95 1+:￥3.45 |
5256 |
24+/23+
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在芯间
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IRF640NSTRLPBF
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INFINEON
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TO-263AB-3
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1+:￥2.9866 |
688 |
2222
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D²PAK
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1+:￥8.4571 |
396 |
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立即发货
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华秋商城
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IRF640NSTRLPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥1.936 1600+:￥2.09 800+:￥2.2 400+:￥3.08 100+:￥4.4 10+:￥7.161 |
19 |
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油柑网
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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10000+:￥1.9888 5000+:￥2.024 1000+:￥2.0768 10+:￥2.2 |
19 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥2.028 50+:￥2.1944 1+:￥2.86 |
24517 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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4000+:￥2.3188 2400+:￥2.3594 1600+:￥2.4001 800+:￥2.4408 |
18400 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon Technologies
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D2PAK
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800+:￥2.3445 100+:￥3.1574 50+:￥3.307 10+:￥3.9588 1+:￥4.7152 |
56 |
2350+
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1工作日
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云汉芯城
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IRF640NSTRLPBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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D2PAK
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800+:￥2.3556 300+:￥2.544 100+:￥2.5911 30+:￥3.1329 10+:￥3.4391 1+:￥4.0044 |
3799 |
23+
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1-3工作日
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云汉芯城
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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1600+:￥2.875 800+:￥2.95 500+:￥3.0 10+:￥3.125 |
40000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF640NSTRLPBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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D2PAK
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30+:￥2.9109 10+:￥3.296 1+:￥4.0374 |
39 |
22+
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1-3工作日
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云汉芯城
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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500+:￥8.556 100+:￥9.4046 7+:￥10.356 |
1260 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 67 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1160 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |