咨询/建议
IRF640NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IRF640NPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220AB
|
1000+:￥0.831 1+:￥0.901 |
115544 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IRF640NPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220-3
|
1000+:￥0.86424 1+:￥0.93704 |
114114 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
IRF640NPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220AB
|
4600+:￥0.9 2300+:￥0.9314 500+:￥0.9835 150+:￥1.1734 50+:￥1.3863 5+:￥1.8223 |
24435 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IRF640NPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220
|
500+:￥0.98 150+:￥1.17 50+:￥1.36 5+:￥1.88 |
5431 |
22+/23+
|
在芯间
|
|
|
IRF640NPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-220AB
|
250+:￥1.1265 50+:￥1.3309 10+:￥1.7319 1+:￥1.7494 |
4099 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 67 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1160 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |