IRF630NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥0.95
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.3A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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1000+:¥0.988

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2000+:¥1.0117

500+:¥1.1145

150+:¥1.3453

50+:¥1.5303

5+:¥2.2037

4835

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500+:¥1.11

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50+:¥1.53

5+:¥2.21

1032

20+/21+
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500+:¥1.243

100+:¥1.3419

50+:¥1.4125

20+:¥1.9775

10+:¥2.825

1+:¥4.5977

15785

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250+:¥1.278

50+:¥1.4538

10+:¥2.0726

1+:¥2.0935

677

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250+:¥1.2915

50+:¥1.4691

10+:¥2.0944

1+:¥2.1155

677

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1+:¥1.9502

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1000+:¥0.988

50+:¥1.0712

1+:¥1.3936

25648

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1-3工作日
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1000+:¥1.0602

200+:¥1.1008

20+:¥1.1765

30000

24+
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1000+:¥1.0625

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27009

2519+
1工作日
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1000+:¥1.0625

500+:¥1.1649

100+:¥1.2403

50+:¥1.3552

10+:¥1.4726

1+:¥1.6123

5990

21+
1-3工作日
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Infineon Technologies
TO-220AB

1000+:¥1.1

500+:¥1.16

100+:¥1.32

50+:¥1.55

10+:¥2.05

1+:¥2.48

39

2436+
1工作日
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10000+:¥1.1526

5000+:¥1.173

1000+:¥1.2036

10+:¥1.275

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3-5工作日
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48000+:¥1.4554

300+:¥1.4554

200+:¥1.4814

100+:¥1.5334

12044

21+
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2000+:¥1.61

1000+:¥1.652

500+:¥1.68

10+:¥1.75

100000

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3-5工作日
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60+:¥4.692

36+:¥5.1566

12+:¥5.676

3099

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14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 300 毫欧 @ 5.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 575 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 82W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3