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停产
IRF540NSTRRPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRF540NSTRRPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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100+:￥5.04 30+:￥5.82 10+:￥6.51 1+:￥7.77 |
220 |
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立即发货
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立创商城
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IRF540NSTRRPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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50+:￥7.6084 48+:￥7.6746 47+:￥7.8069 46+:￥8.27 |
221 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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IRF540NSTRRPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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400+:￥8.9712 200+:￥9.2503 |
2450 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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IRF540NSTRRPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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500+:￥9.614 100+:￥10.7616 6+:￥11.856 |
1615 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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IRF540NSTRRPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥1.8 1+:￥1.94 |
0 |
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立即发货
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圣禾堂
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IRF540NSTRRPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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30+:￥2.83 10+:￥3.19 1+:￥3.93 |
3 |
20+/21+
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在芯间
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IRF540NSTRRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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D2PAK
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800+:￥4.0933 500+:￥4.7073 100+:￥5.1166 30+:￥5.7306 10+:￥6.9586 1+:￥8.1866 |
0 |
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油柑网
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IRF540NSTRRPBF
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INFINEON
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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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1+:￥5.6546 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 44 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 71 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1960 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |