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IRF540NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRF540NSTRLPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263
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8000+:￥2.739 1600+:￥2.9569 800+:￥3.1125 400+:￥4.3575 100+:￥6.225 10+:￥9.6488 |
4272 |
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油柑网
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IRF540NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D²PAK
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500+:￥3.1075 100+:￥3.2725 10+:￥3.6025 1+:￥3.74 |
885 |
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立即发货
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华秋商城
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IRF540NSTRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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10000+:￥2.8137 5000+:￥2.8635 1000+:￥2.9382 10+:￥3.1125 |
2837 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF540NSTRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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202+:￥2.9084 200+:￥2.9336 199+:￥2.9842 198+:￥3.1613 |
695 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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8000+:￥3.2318 4000+:￥3.289 2400+:￥3.3748 800+:￥3.432 |
7200 |
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7-9工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 44 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 71 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1960 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |