IRF540NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥0.8761
177,212
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRF540NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

5000+:¥0.8761

2000+:¥0.9063

500+:¥0.9566

150+:¥1.1397

50+:¥1.345

5+:¥1.7827

37670

-
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Infineon(英飞凌)
TO220

2000+:¥0.91

500+:¥0.95

50+:¥1.34

5+:¥1.78

8500

25+
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TO-220AB

1000+:¥0.91

1+:¥0.988

53912

25+
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Infineon(英飞凌)
TO-220-3

1000+:¥0.9464

1+:¥1.02752

53907

25+
1-2工作日发货
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英飞凌(INFINEON)
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500+:¥0.99

100+:¥1.0688

50+:¥1.125

20+:¥1.575

10+:¥2.25

1+:¥3.4875

19046

-
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1+:¥1.0076

1022

2143
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TO-220AB

250+:¥1.0941

50+:¥1.2912

10+:¥1.6943

1+:¥1.7114

3151

-
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30+:¥0.912

20+:¥0.944

10+:¥0.976

30

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3-7工作日
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5000+:¥0.943

3000+:¥0.9594

2000+:¥0.9758

1000+:¥1.0086

98920

-
3-5工作日
IRF540NPBF
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TO-220AB

10000+:¥0.9605

5000+:¥0.9775

1000+:¥1.003

10+:¥1.0625

22207

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3-5工作日
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Infineon Technologies/IR
TO-220AB

500+:¥0.9606

300+:¥1.0471

100+:¥1.1431

30+:¥1.2584

10+:¥1.5274

1+:¥1.8444

72273

23+
1-3工作日
IRF540NPBF
Infineon Technologies
TO-220AB

5000+:¥0.9606

1000+:¥0.9914

500+:¥1.0395

100+:¥1.2326

50+:¥1.4303

10+:¥1.6712

1+:¥1.9074

42336

2517+
1工作日
IRF540NPBF
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TO-220-3

1000+:¥0.9776

50+:¥1.0608

1+:¥1.3728

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1-3工作日
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2000+:¥1.725

1000+:¥1.77

500+:¥1.8

10+:¥1.875

200000

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3-5工作日
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500+:¥5.29

100+:¥5.8174

10+:¥6.408

75735

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14-18工作日
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Infineon(英飞凌)
TO-220-3

3000+:¥1.15615

1000+:¥1.17762

500+:¥1.19909

100+:¥1.21949

1+:¥1.23452

4

22+
现货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 33A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 44 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 71 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1960 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 130W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3