咨询/建议
IRF5210STRLPBF
Infineon(英飞凌)
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRF5210STRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥2.93 1+:￥3.07 |
13848 |
25+
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圣禾堂
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IRF5210STRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263AB（D²PAK）
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100+:￥3.19 30+:￥3.364 10+:￥3.422 1+:￥3.712 |
121 |
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立即发货
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华秋商城
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IRF5210STRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO263
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500+:￥3.23 100+:￥4.05 20+:￥4.78 1+:￥5.68 |
4214 |
24+/23+
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在芯间
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IRF5210STRLPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263-3
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8000+:￥3.5053 1600+:￥3.7841 800+:￥3.9833 400+:￥5.5766 100+:￥7.9666 10+:￥12.9656 |
40 |
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油柑网
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IRF5210STRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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30+:￥4.7 10+:￥5.31 1+:￥6.54 |
67 |
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立创商城
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IRF5210STRLPBF
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INFINEON
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TO-263
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1+:￥4.704 |
89 |
2221
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRF5210STRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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800+:￥3.0472 100+:￥3.1928 1+:￥3.9936 |
14231 |
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1-3工作日
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硬之城
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INFINEON TECHNOLOGIES
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D2PAK
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800+:￥3.2667 300+:￥3.528 100+:￥3.5933 30+:￥4.3447 10+:￥4.7693 1+:￥5.5533 |
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23+
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1工作日
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云汉芯城
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IRF5210STRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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40000+:￥3.2906 8000+:￥3.3199 1600+:￥3.3787 800+:￥3.4962 |
24000 |
24+
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3-4工作日
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云汉芯城
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IRF5210STRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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8000+:￥3.3465 4000+:￥3.4338 2400+:￥3.5502 800+:￥3.6375 |
12800 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF5210STRLPBF
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Infineon Technologies
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D2PAK
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8000+:￥3.5482 4000+:￥3.611 2400+:￥3.7052 800+:￥3.768 |
50400 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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IRF5210STRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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4000+:￥3.8646 2400+:￥3.9324 1600+:￥4.0002 800+:￥4.068 |
40000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF5210STRLPBF
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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800+:￥7.344 |
84000 |
24+
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2-4周
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 230 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2780 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），170W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB |