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IRF5210PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRF5210PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥3.91 1+:￥4.08 |
21627 |
25+
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圣禾堂
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IRF5210PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥3.96 500+:￥4.12 100+:￥4.48 50+:￥5.27 10+:￥5.97 1+:￥7.25 |
26227 |
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立即发货
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立创商城
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IRF5210PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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250+:￥4.3904 50+:￥5.1646 10+:￥5.8506 1+:￥7.105 |
132 |
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立即发货
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华秋商城
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IRF5210PBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥4.488 100+:￥4.845 50+:￥5.1 20+:￥7.14 10+:￥10.2 1+:￥15.81 |
21627 |
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油柑网
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IRF5210PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO220
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500+:￥4.56 100+:￥4.89 20+:￥5.55 1+:￥6.78 |
2952 |
21+/22+
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在芯间
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IRF5210PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥4.1184 100+:￥4.2848 1+:￥5.356 |
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1-3工作日
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硬之城
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IRF5210PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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30000+:￥4.3792 15000+:￥4.4016 1000+:￥4.4352 100+:￥4.6144 1+:￥5.768 |
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25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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IRF5210PBF
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Infineon Technologies
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TO-220AB
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50+:￥4.7024 10+:￥5.0 1+:￥5.8088 |
203 |
2441+
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1工作日
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云汉芯城
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IRF5210PBF
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INFINEON TECHNOLOGIES
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TO-220AB
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1000+:￥4.7024 300+:￥4.8435 100+:￥5.0363 30+:￥5.5959 10+:￥6.7244 1+:￥7.5238 |
2000 |
24+
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1-3工作日
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云汉芯城
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IRF5210PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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50+:￥5.208 |
50000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF5210PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥5.2805 1+:￥5.82 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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IRF5210PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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500+:￥11.316 100+:￥12.449 5+:￥13.716 |
6738 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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IRF5210PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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40+:￥18.7273 20+:￥19.2441 10+:￥19.7454 5+:￥20.2191 1+:￥20.6062 |
89 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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IRF5210PBF
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INFINEON
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TO-220-3
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1+:￥4.263 |
0 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 24A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 180 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2700 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |