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IRF4905PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：74A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥1.94 1+:￥2.1 |
10090 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥1.96 500+:￥2.0286 100+:￥2.1364 50+:￥2.52 10+:￥2.86 1+:￥3.44 |
10433 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.0176 1+:￥2.184 |
7036 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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250+:￥2.0937 50+:￥2.4696 10+:￥2.8028 1+:￥3.3712 |
1903 |
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华秋商城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220
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1000+:￥2.11 100+:￥2.29 20+:￥2.83 1+:￥3.63 |
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24+/23+
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在芯间
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥2.123 100+:￥2.2919 50+:￥2.4125 20+:￥3.3775 10+:￥4.825 1+:￥7.8527 |
17737 |
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油柑网
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INFINEON
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TO-220
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1+:￥2.254 |
332 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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Infineon Technologies
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100+:￥1.9841 10+:￥2.0875 1+:￥2.2545 |
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2417+
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2-3工作日
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云汉芯城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥2.0176 50+:￥2.184 1+:￥2.8288 |
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1-3工作日
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硬之城
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Infineon Technologies
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1000+:￥2.083 500+:￥2.1674 100+:￥2.2828 50+:￥2.5908 10+:￥2.9498 1+:￥3.5089 |
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2412+
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1工作日
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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1000+:￥2.1204 200+:￥2.2017 20+:￥2.3517 |
60000 |
25+
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4-7工作日
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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10000+:￥2.1809 5000+:￥2.2195 1000+:￥2.2774 10+:￥2.4125 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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50000+:￥2.2781 10000+:￥2.2984 2000+:￥2.3391 1000+:￥2.4205 |
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24+
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3-4工作日
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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2000+:￥2.875 1000+:￥2.95 500+:￥3.0 10+:￥3.125 |
100000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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IRF4905PBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-220AB
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500+:￥9.729 100+:￥10.6908 6+:￥11.784 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 74A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 38A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 180 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3400 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |