IRF3710PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥1.3
97,228
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):57A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRF3710PBF
Infineon(英飞凌)
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1000+:¥1.3

1+:¥1.4

27132

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IRF3710PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB,TO-220

1000+:¥1.352

1+:¥1.456

26320

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1000+:¥1.43

500+:¥1.48

100+:¥1.56

50+:¥1.84

10+:¥2.14

1+:¥2.78

30864

-
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500+:¥1.4883

100+:¥1.575

10+:¥1.7484

1+:¥1.8207

738

-
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INFINEON
TO-220-3

1+:¥1.666

1009

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Infineon(英飞凌)
TO-220

500+:¥4.19

100+:¥4.43

20+:¥5.56

1+:¥5.87

1000

21+/23+
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英飞凌(INFINEON)
TO-220

500+:¥5.599

100+:¥6.0444

50+:¥6.3625

20+:¥8.9075

10+:¥12.725

1+:¥19.7238

10165

-
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Infineon Technologies
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500+:¥1.45

100+:¥1.5

50+:¥1.5435

10+:¥1.667

1+:¥1.8337

1195

2226+
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1000+:¥1.456

50+:¥1.5704

1+:¥2.0488

28801

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1-3工作日
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INFINEON TECHNOLOGIES
TO-220AB

500+:¥1.4585

300+:¥1.5023

100+:¥1.5606

30+:¥1.8378

10+:¥2.3264

1+:¥2.5524

7900

25+
1-3工作日
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Infineon Technologies/IR
TO-220AB

1000+:¥1.6028

200+:¥1.6646

20+:¥1.7783

60000

24+
4-7工作日
IRF3710PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

500+:¥1.6468

250+:¥1.6898

150+:¥1.747

50+:¥1.79

769

-
3-5工作日
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Infineon Technologies/IR
TO-220AB

10000+:¥1.695

6000+:¥1.725

4000+:¥1.77

2000+:¥1.875

2000

24+
5-10工作日
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TO-220AB

315+:¥1.8515

313+:¥1.8676

312+:¥1.8998

311+:¥2.0125

63390

-
6-8工作日
IRF3710PBF
Infineon Technologies/IR
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2000+:¥2.0125

1000+:¥2.065

500+:¥2.1

10+:¥2.1875

200000

-
3-5工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 57A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 23 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 130 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3130 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3