IRF3205ZPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥1.82
15,153
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRF3205ZPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.82

1+:¥1.97

4967

22+
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IRF3205ZPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.8928

1+:¥2.0488

4961

22+
1-2工作日发货
IRF3205ZPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-220

500+:¥2.167

100+:¥2.3394

50+:¥2.4625

20+:¥3.4475

10+:¥4.925

1+:¥8.0154

4967

-
IRF3205ZPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

100+:¥2.33

50+:¥2.72

10+:¥3.12

1+:¥3.92

144

-
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IRF3205ZPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220(TO-220-3)

100+:¥2.99

30+:¥3.5

10+:¥4.01

1+:¥5.02

114

20+/21+
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Infineon Technologies/IR
TO-220AB

1000+:¥1.836

500+:¥1.8727

200+:¥1.9625

100+:¥2.0747

358

22+
3-5工作日
IRF3205ZPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220-3

1000+:¥1.9136

50+:¥2.0696

1+:¥2.6936

4969

--
1-3工作日
IRF3205ZPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

30000+:¥2.0384

20000+:¥2.0496

1000+:¥2.0608

50+:¥2.2288

1+:¥2.9008

4969

22+
2-4工作日
IRF3205ZPBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

5000+:¥2.3188

3000+:¥2.3594

2000+:¥2.4001

1000+:¥2.4408

110000

-
3-5工作日
IRF3205ZPBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

3+:¥2.478

50000

22+
3-5工作日
IRF3205ZPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
TO-220AB

1000+:¥3.0

300+:¥3.24

100+:¥3.3

30+:¥3.99

10+:¥4.38

1+:¥5.1

5505

22+
1-3工作日
IRF3205ZPBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

500+:¥6.9805

100+:¥7.67

8+:¥8.46

5164

-
14-18工作日
IRF3205ZPBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

10+:¥10.5068

2+:¥10.7685

122

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10-15工作日
IRF3205ZPBF
INFINEON
TO-220AB

1+:¥2.548

0

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现货最快4H发
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Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥2.8245

500+:¥2.9495

100+:¥3.1245

30+:¥3.4994

10+:¥3.7494

1+:¥4.1243

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.5 毫欧 @ 66A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 110 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3450 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 170W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3