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IRF3205S
JSMSEMI(杰盛微)
TO-263
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：110A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，耗散功率(Pd)：200W
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRF3205S-JSM
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JSMSEMI(杰盛微)
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TO-263
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800+:￥1.2628 500+:￥1.3475 100+:￥1.7248 30+:￥1.9943 10+:￥2.2638 1+:￥2.8028 |
580 |
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立即发货
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立创商城
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IRF3205S
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JSMSEMI(杰盛微)
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TO-263
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800+:￥1.51 1+:￥1.64 |
1435 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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IRF3205S
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JSMicro(杰盛微)
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TO-263
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800+:￥1.56 1+:￥1.6952 |
1433 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRF3205S
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JSMSEMI(杰盛微)
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TO-263
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800+:￥1.65 50+:￥1.793 30+:￥2.321 |
1435 |
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3天-15天
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唯样商城
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IRF3205S
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JSMSEMI(杰盛微)
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D2PAK，TO-263
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24000+:￥1.68 16000+:￥1.6912 800+:￥1.6912 50+:￥1.8368 1+:￥2.3968 |
1455 |
25+
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2-5工作日
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云汉芯城
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IRF3205S
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JSMICRO/深圳杰盛微
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D2PAK，TO-263
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2400+:￥1.725 1600+:￥1.77 800+:￥1.8 |
300000 |
24+
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 55V |
| 连续漏极电流(Id) | 110A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 200W |