IRF3205PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥1.1
278,056
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRF3205PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.1

1+:¥1.19

7526

25+
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IRF3205PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

1000+:¥1.13

500+:¥1.17

100+:¥1.24

50+:¥1.47

10+:¥1.74

1+:¥2.28

24177

-
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IRF3205PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220

1000+:¥1.144

1+:¥1.2376

6518

25+
1-2工作日发货
IRF3205PBF
英飞凌(INFINEON)
TO-220

500+:¥1.188

100+:¥1.2825

50+:¥1.35

20+:¥1.89

10+:¥2.7

1+:¥4.3943

231013

-
IRF3205PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

250+:¥1.2152

50+:¥1.4406

10+:¥1.7052

1+:¥2.2344

158

-
立即发货
IRF3205PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220

1000+:¥1.25

100+:¥1.36

20+:¥1.57

1+:¥2.68

8500

24+/23+
IRF3205PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB

500+:¥1.3176

100+:¥1.3908

10+:¥1.5372

1+:¥1.5982

158

-
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IRF3205PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
TO-220AB

1000+:¥1.1289

300+:¥1.2305

100+:¥1.3434

30+:¥1.4788

10+:¥1.7949

1+:¥2.1674

902

21+
1-3工作日
IRF3205PBF
Infineon Technologies
TO-220AB

1000+:¥1.1694

500+:¥1.2063

100+:¥1.2761

50+:¥1.5086

10+:¥1.7862

1+:¥2.2991

176839

2443+
1工作日
IRF3205PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220

1000+:¥1.1752

50+:¥1.2688

1+:¥1.6536

19904

--
1-3工作日
IRF3205PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
TO-220AB

1000+:¥1.1837

500+:¥1.2133

100+:¥1.2481

50+:¥1.4865

10+:¥1.7796

1+:¥2.3255

87

2326+
1工作日
IRF3205PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

1000+:¥1.188

63000

24+
5-7工作日
IRF3205PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

10000+:¥1.2204

5000+:¥1.242

1000+:¥1.2744

10+:¥1.35

231013

-
3-5工作日
IRF3205PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

8000+:¥1.276

4000+:¥1.298

2000+:¥1.342

1000+:¥1.375

200000

25+
3-5工作日
IRF3205PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

3000+:¥1.3053

2000+:¥1.3393

1000+:¥1.4188

16494

-
3-5工作日
IRF3205PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

2000+:¥1.725

1000+:¥1.77

500+:¥1.8

10+:¥1.875

300000

-
3-5工作日
IRF3205PBF
Infineon Technologies/IR
TO-220AB

500+:¥7.291

100+:¥8.0122

8+:¥8.832

41984

-
14-18工作日
IRF3205PBF
INFINEON
TO-220-3

1+:¥1.3818

6

2113
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 毫欧 @ 62A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 146 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3247 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3