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IRF2807PBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：75 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：82A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRF2807PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥1.71 1+:￥1.84 |
9239 |
2年内
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥1.73 500+:￥1.84 100+:￥2.05 50+:￥2.4 10+:￥2.99 1+:￥3.69 |
3497 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥1.7784 1+:￥1.9136 |
9235 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥1.815 100+:￥1.9594 50+:￥2.0625 20+:￥2.8875 10+:￥4.125 1+:￥6.7134 |
4154 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO220
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500+:￥1.82 100+:￥2.01 20+:￥2.48 1+:￥3.12 |
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25+/24+
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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250+:￥2.3422 50+:￥2.744 10+:￥3.4104 1+:￥4.214 |
1000 |
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华秋商城
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INFINEON
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TO-220
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1+:￥2.4148 |
200 |
2423
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现货最快4H发
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京北通宇
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥1.8408 50+:￥1.9864 1+:￥2.5896 |
9339 |
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 82A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13 毫欧 @ 43A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 160 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3820 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |