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IPD053N08N3G
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：5.3mΩ@10V,90A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IPD053N08N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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100+:￥7.07 30+:￥8.05 10+:￥9.01 1+:￥10.54 |
200 |
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立即发货
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立创商城
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IPD053N08N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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500+:￥18.8 100+:￥19.5 20+:￥21.4 1+:￥25.7 |
1250 |
20+
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在芯间
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IPD053N08N3G
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-2(DPAK)
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1000+:￥9.12 500+:￥10.488 100+:￥11.4 30+:￥12.768 10+:￥15.504 1+:￥18.24 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 90A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,90A |