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HYG200P10LR1P
HUAYI(华羿微)
TO-220FB-3
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HYG200P10LR1P
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HUAYI(华羿微)
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TO-220FB-3
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100+:￥2.64 50+:￥3.09 10+:￥3.71 1+:￥4.62 |
228 |
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立即发货
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立创商城
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HYG200P10LR1P
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HUAYI(华羿微)
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TO-220FB-3L
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100+:￥2.82 30+:￥3.31 10+:￥3.96 1+:￥4.94 |
443 |
20+/21+
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在芯间
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HYG200P10LR1P
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HUAYI(华羿微)
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TO-220FB-3L
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50+:￥2.31 1+:￥2.49 |
40 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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HYG200P10LR1P
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HUAYI(华羿微)
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TO-220FB-3
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50+:￥2.4024 1+:￥2.5896 |
37 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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HYG200P10LR1P
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HUAYI
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20+:￥2.739 |
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3天-15天
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唯样商城
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HYG200P10LR1P
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HUAYI(华羿微)
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50+:￥1.92192 1+:￥2.07168 |
60 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V |