咨询/建议
HYG180N10LS1P
HUAYI(华羿微)
TO-220FB-3
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：34mΩ@4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
HYG180N10LS1P
|
HUAYI(华羿微)
|
TO-220FB-3L
|
50+:￥1.03688 1+:￥1.1648 |
485 |
待确认
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
HYG180N10LS1P
|
HUAYI(华羿微)
|
TO-220FB-3L
|
500+:￥1.11 150+:￥1.31 50+:￥1.47 5+:￥1.86 |
1010 |
22+/23+
|
在芯间
|
|
|
HYG180N10LS1P
|
HUAYI(华羿微)
|
TO-220FB-3
|
500+:￥1.1189 150+:￥1.3512 50+:￥1.5375 5+:￥2.0194 |
1770 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V |