HYG120P06LR1D
HUAYI(华羿微)
TO-252
¥1.2
9,464
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):55A,导通电阻(RDS(on)):16mΩ@10V
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HYG120P06LR1D
HUAYI(华羿微)
TO-252-2L

2500+:¥1.2

1+:¥1.25

155

23+
立即发货
HYG120P06LR1D
HUAYI(华羿微)
TO-252

1000+:¥1.2

500+:¥1.27

100+:¥1.47

30+:¥1.74

10+:¥1.95

1+:¥2.46

3920

-
立即发货
HYG120P06LR1D
HUAYI(华羿微)
--

2500+:¥1.248

1+:¥1.3

150

23+
1-2工作日发货
HYG120P06LR1D
HUAYI(华羿微)
TO-252-2L

100+:¥1.5

30+:¥1.78

10+:¥2.0

1+:¥2.52

5084

20+/21+
HYG120P06LR1D
HUAYI

100+:¥1.595

30+:¥2.068

155

-
3天-15天
HYG120P06LR1D
HUAYI(华羿微)
--

2500+:¥1.248

1250+:¥1.3

100+:¥1.508

1+:¥1.9552

155

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 55A
导通电阻(RDS(on)) 16mΩ@10V