HYG053N10NS1C2
HUAYI(华羿微)
PDFN5x6-8L
¥1.1648
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场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):95A,导通电阻(RDS(on)):5.3mΩ@10V
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HYG053N10NS1C2
HUAYI(华羿微)
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属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 95A
导通电阻(RDS(on)) 5.3mΩ@10V