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HYG053N10NS1B
HUAYI(华羿微)
TO-263-2L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HYG053N10NS1B
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HUAYI(华羿微)
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TO-263-2L
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800+:￥1.2 1+:￥1.3 |
1015 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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HYG053N10NS1B
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HUAYI(华羿微)
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TO-263-2
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800+:￥1.248 1+:￥1.352 |
1008 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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HYG053N10NS1B
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HUAYI
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800+:￥1.32 50+:￥1.43 30+:￥1.848 |
1015 |
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3天-15天
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唯样商城
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HYG053N10NS1B
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HUAYI(华羿微)
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TO-263-2L
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800+:￥1.45 500+:￥1.54 100+:￥1.81 30+:￥2.14 10+:￥2.4 1+:￥3.02 |
1187 |
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立即发货
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立创商城
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HYG053N10NS1B
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HUAYI(华羿微)
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TO-263-2L
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100+:￥1.83 30+:￥2.16 10+:￥2.42 1+:￥3.04 |
2404 |
20+/21+
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在芯间
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HYG053N10NS1B
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HUAYI(华羿微)
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TO-263-2
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800+:￥1.2584 50+:￥1.3624 1+:￥1.768 |
1255 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V |