HYG025N06LS1C2
HUAYI(华羿微)
PDFN-8(5x6)
¥1.57
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场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):170A,导通电阻(RDS(on)):3.8mΩ@4.5V
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HYG025N06LS1C2
HUAYI(华羿微)
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属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 170A
导通电阻(RDS(on)) 3.8mΩ@4.5V