HYG022N10NS1TA
HUAYI(华羿微)
TOLL
¥3.13
10,302
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):249A,导通电阻(RDS(on)):2.8mΩ@10V
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HYG022N10NS1TA
HUAYI(华羿微)
TOLL

1200+:¥3.13

1+:¥3.27

1262

2年内
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HYG022N10NS1TA
HUAYI(华羿微)
TOLL

1200+:¥3.2552

1+:¥3.4008

1259

2年内
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HYG022N10NS1TA
HUAYI
TOLL

1200+:¥3.443

600+:¥3.597

100+:¥3.949

20+:¥4.741

1262

-
3天-15天
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1000+:¥3.69

500+:¥3.83

100+:¥4.39

30+:¥5.08

10+:¥5.69

1+:¥6.8

3519

-
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HUAYI(华羿微)
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500+:¥6.09

100+:¥6.62

20+:¥7.43

1+:¥9.44

3000

22+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 249A
导通电阻(RDS(on)) 2.8mΩ@10V