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HYG011N04LS1TA
HUAYI(华羿微)
TOLL
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：320A，导通电阻(RDS(on))：1.7mΩ@4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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HYG011N04LS1TA
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HUAYI(华羿微)
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TOLL
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1200+:￥1.881 500+:￥1.995 100+:￥2.6695 30+:￥3.19 10+:￥3.57 1+:￥4.32 |
14062 |
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240+:￥2.6161 10+:￥3.4986 1+:￥4.2336 |
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100+:￥2.84 30+:￥3.23 10+:￥3.61 1+:￥4.38 |
10321 |
20+/21+
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在芯间
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 320A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@4.5V |